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| N.º art.:
3318E-2250579 N.º fabricante:
IPDQ60R010S7XTMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El Infineon IPDQ60R010S7 es el MOSFET de potencia de canal N y ofrece el mejor rendimiento para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El MOSFET está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es una solución ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de forro en SMPS y topologías de inversor.Minimiza las pérdidas de conducción Aumenta la eficiencia energética Diseños más compactos y sencillos Elimina o reduce los disipadores de calor en el diseño de estado sólido Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 50 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | QDPAK | Serie: | IPDQ60R010S7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 22 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,01 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Relé de alto rendimiento, Relés de alto rendimiento, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Relé MOSFET, Relés MOSFET, relé mosfet, 2250579, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPDQ60R010S7XTMA1 |
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