N.º art.: 3318E-2259927
N.º fabricante: SIR572DP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo 100 % Rg y UIS probados
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
59,7 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
150 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Serie:
N-Channel 150 V
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0115 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2259927 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIR572DPT1RE3
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