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| N.º art.: 3318E-2282880 N.º fabricante: SiHP6N80AE-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,95 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 5 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 850 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220AB | Serie: | E Series | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,95 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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