N.º art.: 3318E-2282893
N.º fabricante: SIJH112E-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 225 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0028 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Material del transistor = Si
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
225 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 8 x 8 L
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0028 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2282893 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIJH112ET1GE3
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