N.º art.: 3318E-2282915
N.º fabricante: SIRA20BDP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 335 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,00058 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.1V Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
335 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00058 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.1V
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2282915 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIRA20BDPT1GE3
Ofertas (3)
Plazo de entrega máx. 1 día máx. 3 días máx. 5 días máx. 10 días
Stock en almacén
Cantidad de pedido mín.
Envío
Almacén 3318
3000
Envío gratuito
a partir de € 0,667*
€ 0,667*
1
€ 7,90*
a partir de € 0,80*
€ 1,54*
1 día
1
€ 14,99*
a partir de € 0,56*
€ 2,09*
Precios: Almacén 3318
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 3000 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades
Cantidad de pedido mínima: 3000 unidades ( equivale a € 2.001,00* con IVA no incluido )
Stock en almacén: Almacén 3318
Envío: Almacén 3318
Valor de pedido
Envío
a partir de € 0,00*
Envío gratuito
Derechos de devolución para este artículo: Almacén 3318
Este artículo está excluido de cancelación, cambio o devolución. El plazo de garantía según las CGC persiste independientemente de los derechos de devolución indicados.