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| N.º art.: 3318E-2282925 N.º fabricante: SiS590DN-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,167 O, 0,251 O Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5 V, 2.5 V Número de Elementos por Chip = 2 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N, P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 4 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | PowerPAK 1212-8 doble | Serie: | TrenchFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,167 O, 0,251 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.5 V, 2.5 V | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2282925, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SiS590DNT1GE3 |
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