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| N.º art.:
3318E-2282968 N.º fabricante:
SQS660CENW-T1_GE3 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0112 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V
Número de Elementos por Chip = 2 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 18 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | POWERPAK 1212-8W | Serie: | TrenchFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0112 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.5V | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2282968, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SQS660CENWT1_GE3 |
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