N.º art.: 3318E-2282980
N.º fabricante: SUM40014M-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,00099 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.4V Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
200 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00099 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.4V
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2282980 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SUM40014MGE3
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