Diodo, STPSC20H12G2-TR, 20A, 1200V, D2PAK, 3-Pines

El diodo SiC STMicroelectronics 20 A, 1200 V es un diodo Schottky de potencia de rendimiento ultra-alto. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky con un valor nominal de 1200 V. Gracias a la construcción Schottky, no se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento de apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura.Sin recuperación inversa o insignificante Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura Periferia de alta tensión sólida Funcionamiento Tj de -40 °C a 175 °C