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| N.º art.: 3318E-2286558 N.º fabricante: ISC010N04NM6ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El Infineon ISC010N04NM6 es un MSOFET de potencia de 6 A OPTIMOSTM de nivel normal de 40V V. El Infineon ofrece una solución de referencia para aplicaciones requeridas de nivel normal como aplicaciones de alimentación por batería, herramientas alimentadas por batería, gestión de batería y controladores de baja tensión. Un valor Vth más alto para la cartera de nivel normal significa que solo picos de tensión de puerta mayores provocarían un encendido no deseado.Modo de mejora de canal N. El umbral de puerta de nivel normal es de 2,3 V típico MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C Temperatura de unión de 175 °C. Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 40 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ 6 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.8V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2286558, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, ISC010N04NM6ATMA1 |
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