|  |
| |
| N.º art.:
3318E-2291728 N.º fabricante:
AUIRF3205ZSTRL EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0065 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 110 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 55 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0065 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: mosfet de potencia, 2291728, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, AUIRF3205ZSTRL |
| | |
| |