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| N.º art.:
3318E-2296458 N.º fabricante:
NTH4L015N065SC1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.Highest efficiency Faster operation frequency Increased power density Reduced EMI Reduced system size Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 142 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247-4 | Serie: | SiC Power | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,012 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2296458, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTH4L015N065SC1 |
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