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| N.º art.:
3318E-2296487 N.º fabricante:
NTMTS6D0N15MC EAN/GTIN:
Sin datos |
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| The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Minimize conduction losses High peak current and low parasitic inductance Offers a wider design margin for thermally challenged applications Reduces switching spike Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 135 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 150 V | Tipo de Encapsulado: | DFNW8 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0064 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2296487, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTMTS6D0N15MC |
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