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Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2296510
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NXH006P120MNF2PTG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.Options with pre−applied thermal interface material Options with solderable pins and press−fit pins Pb−free RoHS compliant
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
304 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
F2
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
36
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.3V
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: 2296510, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, onsemi, NXH006P120MNF2PTG
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