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| N.º art.:
3318E-2320386 N.º fabricante:
IMW65R030M1HXKSA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,042 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5.7V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 58 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | CoolSiC | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,042 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5.7V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2320386, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMW65R030M1HXKSA1 |
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