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| N.º art.: 3318E-2320386 N.º fabricante: IMW65R030M1HXKSA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,042 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 5.7V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 58 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | CoolSiC | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,042 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5.7V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2320386, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMW65R030M1HXKSA1 |
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