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MOSFET Infineon ISC0602NLSATMA1, VDSS 80 V, ID 66 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2326748
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     ISC0602NLSATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Serie = OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0073 O, 0,0095 O
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.3V
Material del transistor = Si
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
SuperSO8 5 x 6
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0073 O, 0,0095 O
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.3V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: 2326748, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, ISC0602NLSATMA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 3.015,00*
1 envase contiene 5.000 unidades (€ 0,603* por unidad)
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