| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2326778 N.º fabricante: ISZ0804NLSATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0115 O, 0,0155 O Tensión de umbral de puerta máxima = 2.3V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 58 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN 3 x 3 | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0115 O, 0,0155 O | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2326778, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, ISZ0804NLSATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |