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MOSFET Infineon ISZ0804NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 58 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2326778
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     ISZ0804NLSATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Serie = OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0115 O, 0,0155 O
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.3V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PQFN 3 x 3
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0115 O, 0,0155 O
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.3V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: 2326778, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, ISZ0804NLSATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 125 unidades
€ 0,983*
€ 1,189
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a partir de 250 unidades
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a partir de 500 unidades
€ 0,844*
€ 1,021
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