| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2334381 N.º fabricante: IPTG007N06NM5ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 454 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,00075 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 3.3V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 454 A. | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | PG HSOG-8 (TOLG) | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,00075 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2334381, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPTG007N06NM5ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |