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| N.º art.: 3318E-2347062 N.º fabricante: 2SK1835-E EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1500 V Tipo de Encapsulado = TO-3PN Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,6 Ω Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 4 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1500 V | Tipo de Encapsulado: | TO-3PN | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 4,6 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2347062, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Renesas Electronics, 2SK1835E |
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