| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2350603 N.º fabricante: BSC0803LSATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0146 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.3V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 44 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0146 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |