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| N.º art.: 3318E-2352648 N.º fabricante: BSS138BWAHZGT106 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,68 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 380 mA | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | UMT | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,68 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2352648, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, BSS138BWAHZGT106 |
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