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MOSFET Toshiba SSM3J338R,LF(T, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2363569
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM3J338R,LF(T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V
Tipo de Encapsulado = SOT-23
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,63e+007 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 1V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
12 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
2,63e+007 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2363569, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, SSM3J338R,LF(T
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 500 unidades
€ 0,153*
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a partir de 1000 unidades
€ 0,145*
€ 0,175
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