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MOSFET Infineon IPT030N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 237 A, HSOF-8 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2363670
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPT030N12N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 237 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 120 V
Serie = OptiMOS™
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,003 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
237 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
120 V
Tipo de Encapsulado:
HSOF-8
Serie:
OptiMOS™
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,003 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2363670, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPT030N12N3GATMA1
Resumen de condiciones1
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a partir de 200 unidades
€ 3,243*
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