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| N.º art.: 3318E-2363676 N.º fabricante: IPW65R125CFD7XKSA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 700 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,125 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 19 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 700 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | CoolMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,125 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2363676, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPW65R125CFD7XKSA1 |
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