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MOSFET Infineon IQE008N03LM5CGATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2406629
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IQE008N03LM5CGATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 253 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V
Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
253 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2406629, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IQE008N03LM5CGATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 1,709*
  
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€ 2,403
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a partir de 100 unidades
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€ 2,229
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a partir de 200 unidades
€ 1,709*
€ 2,068
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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