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| N.º art.: 3318E-2406638 N.º fabricante: IQE050N08NM5CGATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 101 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 101 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 80 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN 3 x 3 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2406638, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IQE050N08NM5CGATMA1 |
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