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MOSFET Infineon IQE065N10NM5CGATMA1, VDSS 100 V, ID 85 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2406642
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IQE065N10NM5CGATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2406642, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IQE065N10NM5CGATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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€ 2,439
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a partir de 100 unidades
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€ 2,288
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a partir de 200 unidades
€ 1,758*
€ 2,127
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