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IGBT, IKN03N60RC2ATMA1, 5,7 A, 600 V, PG-SOT223-3 1


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2408527
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKN03N60RC2ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Corriente Máxima Continua del Colector = 5,7 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Disipación de Potencia Máxima = 6,3 W
Tipo de Encapsulado = PG-SOT223-3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
5,7 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
6,3 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
PG-SOT223-3
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 2408527, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKN03N60RC2ATMA1
Resumen de condiciones1
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