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| N.º art.: 3318E-2412271 N.º fabricante: RFS30TZ6SGC13 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Corriente Máxima Directa = 30A Número de Elementos por Chip = 1 Tensión Inversa Máxima = 650V Tipo de Encapsulado = TO-247GE-2L Tecnología de diodo = Epitaxial planar Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Simple | Corriente Máxima Directa: | 30A | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Número de Elementos por Chip: | 1 | Tensión Inversa Máxima: | 650V | Tipo de Encapsulado: | TO-247GE-2L | Tecnología de diodo: | Epitaxial planar |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: diodo de conmutación, 2412271, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodo de Conmutación, ROHM, RFS30TZ6SGC13 |
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