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IGBT, RGWS80TS65GC13, 71 A, 650 V, TO-247GE 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2412311
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RGWS80TS65GC13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Corriente Máxima Continua del Colector = 71 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V
Disipación de Potencia Máxima = 202 W
Tipo de Encapsulado = TO-247GE
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
71 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±30V
Disipación de Potencia Máxima:
202 W
Número de transistores:
1
Configuración:
Colector único, emisor simple, puerta simple
Tipo de Encapsulado:
TO-247GE
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 2412311, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, ROHM, RGWS80TS65GC13
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 2,895*
  
Precio válido a partir de 600 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 600 unidades
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