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MOSFET Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1, VDSS 25 V, ID 298 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2420307
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IQE006NE2LM5CGATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 298 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V
Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
298 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2420307, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IQE006NE2LM5CGATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 50 unidades
€ 1,867*
€ 2,259
por unidad
a partir de 100 unidades
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€ 2,097
por unidad
a partir de 200 unidades
€ 1,594*
€ 1,929
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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