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MOSFET ROHM BSM400D12P3G002, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Módulo


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2461526
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     BSM400D12P3G002
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = Módulo
Tipo de Montaje = Montaje roscado
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
358 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
Módulo
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Otros conceptos de búsqueda: 2461526, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, BSM400D12P3G002
Resumen de condiciones1
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