| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2464070 N.º fabricante: VS58VLNVWMTR EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Dirección = Unidireccional Tensión Residual Máxima = 93.6V Tensión Mínima de Ruptura = 64V Tipo de Montaje = Montaje superficial, orificio pasante Tipo de Encapsulado = PMDE Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Simple | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 93.6V | Tensión Mínima de Ruptura: | 64V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial, orificio pasante | Tipo de Encapsulado: | PMDE |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo supresor, Diodos supresores, Diodos TVS, Diodos supresores de transitorios de tensión, Diodo supresor de transitorios de tensión, diodo smd, 2464070, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, VS58VLNVWMTR |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |