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| N.º art.:
3318E-2500190 N.º fabricante:
RMLV0416EGSB-4S2AA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| Tamaño de la Memoria = 4Mbit
Organización = 256 K x 16
Número de Palabras = 256k
Número de Bits de Palabra = 16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Baja Potencia = Sí
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Tipo de Encapsulado = TSOP
Conteo de Pines = 44
Dimensiones = 18.41 x 10.16 x 1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento = 3,6 Vmm
Ancho = 10.16mm Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 4Mbit | Organización: | 256 K x 16 | Número de Palabras: | 256k | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 45ns | Baja Potencia: | Sí | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | TSOP | Conteo de Pines: | 44 | Dimensiones: | 18.41 x 10.16 x 1mm | Altura: | 1mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3,6 V | Longitud: | 18.41mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C | Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: | 2,7 V |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2500190, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, Renesas Electronics, RMLV0416EGSB4S2AA1 |
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