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Módulo MOSFET Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, AG-EASY2B


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2500218
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V
Tipo de Encapsulado = AG-EASY2B
Tipo de Montaje = Montaje roscado
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1200 V
Tipo de Encapsulado:
AG-EASY2B
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Otros conceptos de búsqueda: 2500218, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
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€ 135,343*
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