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MOSFET + Diodo Vishay SIHK055N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2520264
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK055N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor mosfet, 2520264, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHK055N60EFT1GE3
Resumen de condiciones1
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