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MOSFET ROHM BSS84WAHZGT106, VDSS 60 V, ID 210 mA, SOT


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2523115
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     BSS84WAHZGT106
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = SOT
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
210 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2523115, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, BSS84WAHZGT106
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
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