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IGBT, FP200R12N3T7B11BPSA1, 200 A, 1.200 V


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2539829
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP200R12N3T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, 2539829, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP200R12N3T7B11BPSA1
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