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MOSFET onsemi NTBG022N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 58 A, D2PAK-7L


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2547661
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTBG022N120M3S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK-7L
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK-7L
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2547661, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTBG022N120M3S
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