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MOSFET Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2567412
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB24N65E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-263
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-263
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 2567412, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHB24N65EGE3
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