N.º art.: 3318E-2580636
N.º fabricante: BAT1502ELE6327XTMA1
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = TSLP Corriente Continua Máxima Directa = 110mA Tensión Repetitiva Inversa de Pico = 4V
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado:
TSLP
Corriente Continua Máxima Directa:
110mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico:
4V
Otros conceptos de búsqueda: Diodo Schottky ,
Diodos Schottky ,
Diodo de barrera Schottky ,
Diodos de barrera Schottky ,
diodo smd ,
2580636 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Diodos Schottky y Rectificadores ,
Infineon ,
BAT1502ELE6327XTMA1
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