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MOSFET Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,4 A, PG-SOT363


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2580699
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     BSD316SNH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V
Tipo de Encapsulado = PG-SOT363
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
1,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PG-SOT363
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2580699, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, BSD316SNH6327XTSA1
Resumen de condiciones1
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