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MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2583827
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPBE65R050CFD7AATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PG-TO263
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2583827, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPBE65R050CFD7AATMA1
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