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MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2583833
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD122N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TO252-3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2583833, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD122N10N3GATMA1
Resumen de condiciones1
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