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MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 30 A, PG-TO 247


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2583909
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPW60R125P6XKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PG-TO 247
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TO 247
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2583909, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPW60R125P6XKSA1
Resumen de condiciones1
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