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Transistor MOSFET Infineon IPB019N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 170 A, PG-TO263-3


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2592575
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     SP005571690
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263-3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2592575, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, SP005571690
Resumen de condiciones1
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a partir de 100 unidades
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a partir de 200 unidades
€ 2,105*
€ 2,547
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