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| N.º art.: 3318E-2605867 N.º fabricante: IRFB7546PBF EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 75 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2605867, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRFB7546PBF |
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