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IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1.200 V, AG-34MM 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2608888
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF50R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Número de transistores = 2
Tipo de Encapsulado = AG-34MM
Tipo de Montaje = Montaje en panel
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
285 W
Número de transistores:
2
Configuración:
Doble
Tipo de Encapsulado:
AG-34MM
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 2608888, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF50R12RT4HOSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 83,36*
  
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Neto
Bruto
Unidad
1 unidad
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€ 111,189
por unidad
a partir de 5 unidades
€ 88,477*
€ 107,057
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 85,051*
€ 102,912
por unidad
a partir de 50 unidades
€ 83,36*
€ 100,87
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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