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MOSFET ROHM RD3G03BBGTL1, VDSS 40 V, ID 65 A, TO-252


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2619330
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RD3G03BBGTL1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = TO-252
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
TO-252
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: 2619330, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, RD3G03BBGTL1
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