N.º art.: 3318E-2626743
N.º fabricante: IRF9Z34NSTRLPBF
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora Material del transistor = Silicio
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
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